پهنای باند حافظه‌ی HBM3E 12H تا ۱٬۲۸۰ گیگابایت‌بر‌ثانیه و حداکثر ظرفیت آن ۳۶ گیگابایت است. این میزان ۵۰ درصد بیشتر از تراشه‌های نسل فعلی HBM3 8H است.
تراشه‌ی جدید سامسونگ از فیلم غیررسانای تراکم حرارتی پیشرفته (TC NCF) استفاده می‌کند که به محصولات ۱۲ لایه اجازه می‌دهد تا ارتفاعی مشابه تراشه‌های ۸ لایه‌ی HBM داشته باشند. این حافظه سازگاری بهتر و انعطاف‌پذیری بیشتری با سیستم‌ها دارد. مزایای دیگر آن کاستنِ پیچیدگی و ضخامت قالب تراشه است.
سامسونگ می‌گوید که فضای خالی بین لایه‌های داخلیِ حافظه‌ی HBM3E تنها ۷ میکرومتر است که کمترین میزان در میان تمامی تراشه‌ها است. این کاهش فاصله تراکم عمودی را نیز در‌مقایسه‌با تراشه‌های ۸ لایه‌ی HBM3 تا ۲۰ درصد افزایش می‌دهد.
سامسونگ مدعی است که حافظه‌ی جدید گرمای کمتری ایجاد می‌کند. از این تراشه‌ها می‌توان در سیستم‌هایی استفاده کرد که به ظرفیت حافظه‌ی زیادی نیاز دارند. این فناوری هزینه‌های دیتاسنترها را کاهش می‌دهد و میانگین سرعت یادگیری هوش مصنوعی را ۳۴ درصد بهبود می‌بخشد.
